Издательство: Бином. Лаборатория знаний, 2012
Иллюстратор: Зотова Н. В., Новак Н.
Редактор: Чаплыгин Ю. А.
Переплёт: Твердый переплет, 422 страницы
Категория: Машиностроение. Приборостроение
ISBN: 978-5-94774-585-6
Тираж: 1000
Формат: 220x151x20 мм, 524 г
📖 Часть вторая. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования.
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах.
Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области.