Обложка книги МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники, Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.  
Поделись книгой!
 
Издательство: Техносфера, 2020
Переплёт: Твердый переплет, 488 страниц
Серия: Мир материалов и технологий
Категория: Химические науки
ISBN: 978-5-94836-521-3
Формат: 240x170x25 мм, 754 г
 
📘 В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Где найти книгу?

Мнения