📒 В пособии описаны особенности энергетического спектра, статистики, межзонного оптического поглощения, фотоэлектрических явлений в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами и точками типа InGaAs/GaAs и фотоэлектрические методы диагностики их оптоэлектронных характеристик, дефектности, геометрических и других параметров. Значительное внимание уделено исследованиям фотоэлектрических явлений в этих гетеронаноструктурах, выполненным в Нижегородском университете. Пособие рекомендуется студентам старших курсов, специализирующимся по специальностям 202100 – «Нанотехнология в электронике» и 200200 – «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», студентам магистратуры и аспирантам, слушающим курсы в области физики низкоразмерных твердотельных структур и ведущим исследования в соответствующей области.