Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Выпуск 11

📙 Книга содержит ряд докладов, прочитанных специалистами США и других стран на Второй международной конференции по НТЛ полупроводников и посвященных новой перспективной технологии введения легирующих примесей в полупроводники - трансмутационному легированию при облучении в реакторе. Рассмотрены физические основы трансмутационного легирования (ТЛ), вопросы радиационной безопасности, техника облучения, образование дефектов и их отжиг, электрофизические и структурные свойства трансмутационно-легированного кремния и улучшение характеристик приборов.

Предназначена для специалистов в области радиационной физики твердого тела, полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.