Nanorazmernye struktury na poverkhnosti fosfida indiya 12+

📒 Poluprovodnik fosfid indiya imeet bol'shie perspektivy shirokogo nauchno-tekhnicheskogo ispol'zovaniya. Travlenie fosfida indiya v ftorsoderzhashchikh i khlorsoderzhashchikh sredakh vkhodit v arsenal metodov sovremennoy mikroelektroniki, pozvolyayushchikh formirovat' ob"ekty s ponizhennoy razmernost'yu. Poristyy InP obladaet razlichnymi fiziko-khimicheskimi svoystvami: foto- i elektrolyuminestsentsii, adsorbtsionnoy chuvstvitel'nost'yu, svoystvami fotonnykh kristallov. Dlya prikladnykh tseley neobkhodima otrabotannaya, optimizirovannaya tekhnologiya formirovaniya por-InP, a takzhe vyyavlenie fizicheskikh zakonomernostey, kotorye obespechat poluchenie poristykh sloev s vosproizvodimymi kharakteristikami. Monografiya posvyashchena tekhnologicheskim osnovam polucheniya poristogo InP metodom elektrokhimicheskogo travleniya fosfida indiya, izucheniyu lyuminestsentnykh, strukturnykh i morfologicheskikh svoystv poristykh sloev InP, vliyaniyu defektov na protsess poroobrazovaniya. Monografiya prednaznachena dlya spetsialistov, rabotayushchikh v otrasli nanotekhnologii, a takzhe dlya studentov vysshikh uchebnykh zavedeniy.