Быстродействующие приборы электроники. Ч.2

📙 Во второй части рассмотрены основы функционирования субмикронных гетероструктурных полевых транзисторов различной модификации, в том числе с квантовыми точками, мощных транзисторов (гетерополевых, гетеробиполярных, МОП), приведены методы и результаты их моделирования. Описана модель резонансно-туннельных диодов с использованием метода огибающей волновой функции. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Микро- и наноэлектроника», может быть полезно студентам других специальностей и аспирантам вузов, но авторы надеются, что оно сможет представить интерес для читателей, связанных с СВЧ электроникой.