О сколе гомоструктур n-,p-GaAs(110)

📙 В результате измерений фотоэлектронных спектров уровня Ga3d после скола in situ по плоскости (110)легированных полупроводников n-,p-GaAs для 14-ти номинально идентичных p-n переходов и зеркально плоских под оптическим микроскопом, были получены положения уровня Ферми для n- и p- слоев. Исследовалось также двумерное фотоэмиссионное изображение p-n перехода с использованием пучка синхротронного излучения (диаметр 0.7 мкм, энергия 95 эВ, инт.~10E10 фот./c). Полученная средняя величина изгиба зон относительно положения идеальных плоских зон, характерных для отсутствия поверхностных дефектов, составила 0.12+/-0.05 эВ для p- слоя, и 0.16+/-0.08 эВ для n- слоя, при разрешении спектрометра <0.15 эВ. Результаты экспериментов, приводящие к разной степени отличия от условия плоских зон для каждого скола, объясняются внешними локальными микроскопическими дефектами скола, которые могут появляться случайно и непредсказуемо, поскольку динамика системы при сколе является линейным процессом многих тел и многих степеней свободы.