Взаимодействие некоторых примесей при получении монокристаллов кремния

📒 Развитие микроэлектроники и полупроводникового приборостроения невозможно отделить от решения проблемы улучшения качества полупроводниковых материалов. Современная технология полупроводников позволяет получать монокристаллы, в которых полностью отсутствует нарушение структуры: дислокации, малоугловые и двойниковые границы, включение второй фазы. Но в кристалле всегда имеются дефекты, локализованные в пределах элементарной ячейки кристаллической решетки. Присутствие точечных дефектов термодинамически неизбежно и в большинстве практически важных случаев необходимы, т.к. атомы легирующих примесей играют важнейшую роль в формировании свойств полупроводника. Сейчас уже очевидно, что правильное понимание процессов, протекающих в полупроводнике при легировании, теоретическое предсказание результатов легирования, а также практическая реализация методов получения материалов с заданными свойствами невозможны без учета взаимодействия примесей. Книга будет полезна научным работникам при разработке полупроводниковых материалов и структур, магистрантам и студентам при изучении процессов легирования.