Быстродействующие приборы электроники. Ч.1

📘 В первой части описаны методы моделирования твердотельных структур, рассмотрены свойства современных полупроводниковых материалов; дается анализ их электрических свойств через расчет времен релаксации для различных видов рассеяния, специфика которых определяется электронными и фононными законами дисперсии; обсуждаются эффекты переноса горячих электронов в сильном электрическом поле. Рассмотрены особенности работы и моделирования субмикронных полевых транзисторов с барьером Шоттки, в том числе в режиме большого сигнала. Предназначено для студентов по направлению «Микро- и наноэлектроника», может быть полезно студентам других специальностей и аспирантам вузов, но авторы надеются, что оно сможет представить интерес для читателей, связанных с СВЧ электроникой.