Фотодиоды для экологического мониторинга

📒 В книге описана разработка и оптимизация конструкции гетерофотодиода InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/ InAsSbP в отношении толщин, концентраций, а также геометрии омических контактов. Созданы и исследованы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.3 мм, для экологического мониторинга. Отличительной особенностью фотодиодов является токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (λmax = 4.0 − 4.6 мкм), достигающая значений 0.6−0.8 A/Вт, значение плотности обратных темновых токов (1.3 − 7.5)×10−2 A/см2 при напряжении обратного смещения 0.2 В. Дифференциальное сопротивление в отсутствии смещения достигает величины 700 − 800 Ом. Обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности достигает (5 − 8)×108 см • Гц1/2•Вт−1. Предложен и опробован новый метод повышения квантовой эффективности фотодиодов для среднего ИК диапазона спектра (с граничной длиной волны 5.0 мкм), заключающийся в применении криволинейной многократно отражающей поверхности на тыльной стороне фотодиодного чипа в виде полусферических ямок.