Расчет новых свойств широкозонных полупроводниковых материалов

📙 В монографии рассмотрены новые свойства наноструктурированных материалов электроники: широкозонные полупроводники типа А2В6, SiC и твердые растворы на основе карбида кремния. В работе анализируются методы описания новых эффектов: гигантское усиление (на два порядка) теплового сопротивления экзокерамики и диэлектрической проницаемости твердых растворов карбида кремния; квантовый интерференционный эффект в сегнетоэлектриках; размерные эффекты. Предложена модель высоты барьера Шоттки в диодах на основе SiC и рассчитаны их воль-тамперные характеристики. Монография содержит справочный материал по свойствам указанных систем и адресована студентам, преподавателям, аспирантам, инженерам-технологам в области микро,-наноэлектроники и моделирования свойств наноструктурированных материалов.