Термодинамический анализ процессов выращивания эпитаксиальных слоев

📙 Настоящая работа посвящается проведению термодинамического анализа физико - химических процессов роста эпитаксиальных слоев полупроводникового соединения Ga2Se3 из газовой фазы в проточной системе Ga - Se - Cl - H и моделированию технологических процессов для прогнозирования возможных технологических вариантов и определения оптимальных условий проведения синтеза этого соединения. Приводятся результаты исследований по определению и вычислению термодинамических параметров индивидуальных веществ системы Ga - Se - Cl - H, для использования их при термодинамическом моделировании процессов роста эпитаксиальных слоев Ga2Se3 из газовой фазы. Исследуется связь между термодинамическими переменными и технологическими параметрами процесса синтеза Ga2Se3 в реакторе открытого типа с раздельными источниками галлия и селена. Проиллюстрируется схема расчёта технологических параметров процесса выращивания эпитаксиальных слоев Ga2Se3 в проточной газотранспортной системе с раздельными источниками галлия и селена.