📘 В работе представлены результаты исследования поверхностных состояний монокристаллов кремния, чувствительных к магнитному полю. Несколькими независимыми методами установлено, что магнитное поле вызывает изменение кинетики и выхода спин-зависимых реакций с участием кислорода. В результате изменяется широкий спектр физических свойств кристаллов: оптических, механических и электрических. Предложены модели дефектов и спин-зависимых процессов, которые могут быть подвержены действию магнитного поля. Полученные результаты могут служить физической основой для новых технологий получения и использования кремния в современной электронике.