📙 В рассматриваемом пособии описываются физические принципы работы и приводятся примеры конкретных полупроводниковых приборов, созданных в последнее время.
Рассмотрены физические принципы возникновения размерных эффектов и свойства полупроводниковых структур с пониженной размерностью, которые широко применяются в новых разработках приборов с наноструктурами. Описываются и объясняются свойства гетеропереходов и ряда эффектов, возникающих вследствие особенностей структуры гетероперехода и используемых в полупроводниковых приборах. Рассмотрены методы создания гетеропереходов и гетероструктур с пониженной размерностью. Приведены примеры полупроводниковых приборов, содержащих гетеропереходы и использующих структуры с пониженной размерностью, иллюстрирующие возможности новых технологий и поясняющие вышеизложенный материал.
Материал пособия может быть рекомендован студентам, обучающимся по радиотехническим специальностям.