Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло

📖 В монографии изложены основные результаты и возможности применения метода статистического моделирования Монте-Карло для изучения роста и легирования полупроводниковых пленок. Обсуждаются результаты исследования моделированием с помощью ЭВМ процессов роста однокомпонентных полупроводников, получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии и химических газотранспортных реакций, роста пленок полупроводниковых соединений и легированных однокомпонентных веществ. Рассмотрено влияние дефектов подложки и структуры ее поверхности на совершенство пленок, влияние степени ионизации молекулярного пучка на рост и легирование пленки. Показана методика пересыщения при росте пленок, структуры адсорбционного слоя, стабильности реконструированной поверхности, а также применение метода Монте-Карло к изучению процессов кристаллизации расплавов, рекристаллизации, лазерной обработки аморфных слоев, к моделированию процессов диффузии из пленки в подложку. Проведен анализ основных погрешностей и приближений метода.

Книга адресована научным работникам, инженерам, учащимся вузов и аспирантам, занимающимся проблемами твердотельной электроники, физики и химии твердого тела, прикладной математики.