Издательство: Регулярная и хаотическая динамика, 2005
Переплёт: Мягкая обложка, 154 страницы
Категория: Научная литература
ISBN: 5-93972-177-X
Тираж: 500
📓 В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС. Включены примеры двумерного и трехмерного моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И2Л-элементах в самых разнообразных режимах их функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды.
Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим модели элементов ИС в своих исследованиях.