Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении

📙 Рассказывается о свойствах полупроводниковых диодов и транзисторов при их длительной работе и хранении. Описаны основные причины отказов приборов, связанные с явлениями на поверхности кристаллов, пробоем переходов, разрушением контактов. Приведены математические модели процессов отказов. Излагаются технические требования к качеству и надежности приборов, методы их проверки и обработки результатов испытаний. Даны сведения об ускоренных испытаниях и неразрушающем контроле качества. Приведены экспериментальные зависимости интенсивности отказов и изменения величин параметров приборов от времени и нагрузки. Даны рекомендации по проектированию надежной аппаратуры на диодах и транзисторах. Книга предназначена для широкого круга лиц, занимающихся проектированием, изготовлением и эксплуатацией радиоэ�...