Электронные свойства дислокации в полупроводниках
Поделись книгой!
Автор: С. Шевченко,
Виктор Петренко,
Э. Штейнман,
В. Тимофеев,
Юрий Осипьян,
С. Бредихин,
В. Кведер,
Н. Классен,
В. Негрий,
И. Смирнова,
С. Шмурак
Издательство: Едиториал УРСС, 2000
Переплёт: Твердый переплет, 320 страниц
Категория: Научная литература
ISBN: 5-8360-0068-9
Тираж: 1000
Предисловие
Где найти книгу?
📒 Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Мнения